Φωτοχρωμικός φακός SETO 1.60 SHMC

1) Τι είναι η επίστρωση περιστροφής;

Η επίστρωση περιστροφής είναι μια διαδικασία που χρησιμοποιείται για την εναπόθεση ομοιόμορφων λεπτών μεμβρανών σε επίπεδα υποστρώματα.Συνήθως εφαρμόζεται μικρή ποσότητα υλικού επίστρωσης στο κέντρο του υποστρώματος, το οποίο είτε περιστρέφεται με χαμηλή ταχύτητα είτε δεν περιστρέφεται καθόλου.Στη συνέχεια, το υπόστρωμα περιστρέφεται με ταχύτητα έως και 10.000 rpm για να απλωθεί το υλικό επίστρωσης με φυγόκεντρη δύναμη.Ένα μηχάνημα που χρησιμοποιείται για την επίστρωση περιστροφής ονομάζεται περιστροφική επίστρωση ή απλά κλώστη.
Η περιστροφή συνεχίζεται ενώ το υγρό ξεφεύγει από τις άκρες του υποστρώματος, μέχρι να επιτευχθεί το επιθυμητό πάχος της μεμβράνης.Ο διαλύτης που εφαρμόζεται είναι συνήθως πτητικός και ταυτόχρονα εξατμίζεται.Όσο μεγαλύτερη είναι η γωνιακή ταχύτητα περιστροφής, τόσο πιο λεπτό είναι το φιλμ.Το πάχος της μεμβράνης εξαρτάται επίσης από το ιξώδες και τη συγκέντρωση του διαλύματος και του διαλύτη.[2]Η πρωτοποριακή θεωρητική ανάλυση της επίστρωσης με περιδίνηση αναλήφθηκε από τους Emslie et al., και έχει επεκταθεί από πολλούς μεταγενέστερους συγγραφείς (συμπεριλαμβανομένων των Wilson et al., [4] που μελέτησαν το ρυθμό εξάπλωσης στην επίστρωση περιδίνησης· και Danglad-Flores et al., [5] ο οποίος βρήκε μια καθολική περιγραφή για να προβλέψει το πάχος του εναποτιθέμενου φιλμ).
Η επίστρωση spin χρησιμοποιείται ευρέως στη μικροκατασκευή λειτουργικών στρωμάτων οξειδίου σε γυάλινα ή μονοκρυσταλλικά υποστρώματα χρησιμοποιώντας πρόδρομες ουσίες sol-gel, όπου μπορεί να χρησιμοποιηθεί για τη δημιουργία ομοιόμορφων λεπτών μεμβρανών με πάχος νανοκλίμακας.[6]Χρησιμοποιείται εντατικά στη φωτολιθογραφία, για την εναπόθεση στρώσεων φωτοανθεκτικού πάχους περίπου 1 μικρομέτρου.Το Photoresist περιστρέφεται συνήθως με 20 έως 80 στροφές ανά δευτερόλεπτο για 30 έως 60 δευτερόλεπτα.Χρησιμοποιείται επίσης ευρέως για την κατασκευή επίπεδων φωτονικών δομών από πολυμερή.
Ένα πλεονέκτημα των λεπτών μεμβρανών επίστρωσης με περιδίνηση είναι η ομοιομορφία του πάχους του φιλμ.Λόγω του αυτοεπιπεδούμενου, τα πάχη δεν διαφέρουν περισσότερο από 1%.Ωστόσο, η επίστρωση περιστροφής παχύτερων μεμβρανών πολυμερών και φωτοανθεκτικών μπορεί να οδηγήσει σε σχετικά μεγάλα άκρα σφαιρίδια των οποίων η επιπεδοποίηση έχει φυσικά όρια.